晶圓獲得極淺的原始雜質離子注入后,采用激光瞬間退火來激活雜質,并精確控制注入離子的峰值深度,保證注入雜質不發生明顯的擴散再分布,獲得合格的超淺結源漏區。
< 50nm 結深控制
低至 10nm 以內的峰值濃度深度控制
優異的雜質形貌分布和均勻性
WPH 高達 25
完整的全程監控反饋功能
背照式圖像傳感器晶圓
Chengdu Laipu Technology co.,LTD